Pasta de Resistência a Disilicida de Molibdénio
Molibdênio pasta dissilicida resistência após a melhoria geralmente usado em produtos eletrônicos de consumo. No início do tempo, os circuitos integrados híbridos e resistor de separação parcial geralmente usam metais preciosos rutênio à base de vidros esmalte colar eletrodo, mas rutênio tem preço elevado e por quilograma é cerca de ¥ 2 milhões e, portanto, não pode ser amplamente utilizado. Molibdênio dissilicide pasta de resistência tinha sido desenvolvido na década de 1960, mas devido ao grande coeficiente de temperatura (≤500ppm / ℃), grande sinterização sensibilidade, por isso não tem a promoção e aplicação. Com o progresso da ciência e da tecnologia, os pesquisadores produziram nova pasta de resistência MoSi 2 . Esta nova pasta de resistência MoSi 2 tem pequeno coeficiente de temperatura (menos de 300ppm / ℃) e sensibilidade de sinterização, boa estabilidade. Além disso, o desempenho está perto de rutênio, para que ele possa atender a demanda de produtos eletrônicos de consumo.
Molibdênio dissilicida resistência colar melhoria desempenho
Os principais fatores que afetam o desempenho da resistência são a característica de aglutinante e fase condutora. Os ligantes podem ligar a fase condutora ao substrato e podem formar uma película densa, de modo que o material da fase condutora deve infiltrar-se bem no ligante e o coeficiente do ligante deve coincidir com a fase condutora. De acordo com MoSi 2 propriedades elétricas, deve aumentar o módulo de elasticidade do ligante de vidro para reduzir o coeficiente de temperatura de resistência. Para reduzir a resistividade pode dop com MgO na suspensão para ajustar TCR.
Existem dois métodos para melhorar o coeficiente de temperatura de condutividade e invasivo, um método de compensação, que adicionou o coeficiente de temperatura negativo da fase condutora para compensar o coeficiente de temperatura positiva de MoSi 2 . O segundo método é pré-sinterizado, o MoSi 2 deve ser pré-sinterizado a alta temperatura e MoSi 2 oxigenolise acima de 500 ℃. Após a decomposição oxidativa, há camada de revestimento de MoO3 na superfície de partícula MoSi <2>. MoO 3 tem melhor invasivo com revestimento de vidro, melhorando assim o desempenho da fase condutora.
Para preparar melhor molibdênio pasta dissilicida resistência também deve melhorar seus processos de produção. Durante o processo de sinterização deve envolver o molibdênio dissilicida em pó, cortar o ar, o que pode impedir MoSi 2 decomposição oxidativa em cerca de 500 ℃, por isso usando o método de sinterização secundária pode melhorar a sensibilidade e resistência do slutry sinterização Resistência.
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