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磁控溅射钼靶
磁控溅射钼靶的工作原理是电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子，新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。
在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。
磁控溅射钼靶具有强度大、耐高温、耐磨损、耐腐蚀等多种优良性能，其纯度为99.95%，密度10.2克/立方厘米，熔点2610℃，沸点5560℃。根据钼靶的形状类型包括矩形磁控溅射钼靶、圆形磁控溅射钼靶和圆柱管磁控溅射钼靶。溅射靶材主要应用于电子及信息产业，如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等。另外，它也可应用于玻璃镀膜领域，还可以应用于耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业。
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