몰리브덴 - 도핑 된 산화 아연

몰리브덴 - 도핑 된 산화 아연 포토

몰리브덴 도핑 9.4x10-4Ω의 산화 아연 박막의 낮은 저항 · cm, 대응하는 캐리어 이동성 27.3cm2V-1S-1, 3.1x1020cm-3의 캐리어 농도이다. 보다 큰 85 %의 가시 광선 영역의 평균 투과율, 1.853의 굴절률 (550cm), 7.0x10-3의 흡광 계수. 또한, 산소 분압이 캐리어 농도를 조절함으로써 조절 될 수 있고, 밴드 갭이 3.8eV, 캐리어 유효 질량 m의 * 막 전자의 0.33 배의 질량으로 3.37에서로드 캐리어 농도의 증가와 함께 증가한다.

산화 아연의 광학적 밴드 갭이 가시광에 투명한 매우 좋은, 3.37eV 관한 투명 도전 막의 저항률 · 4.5x10-4Ω cm 낮게 할 수 있지만, 온도가 막 특성이되고 이후 150 ℃를 초과 불안정, 따라서 크게 응용 프로그램을 제한. 고온 요소 몰리브덴을 도핑함으로써, 해당 응용 프로그램을 확장, 온도를 증가시킬 수있다. 산화 아연 결정은, 고가의 몰리브덴 치환 도핑 입자의 형태, 몰리브덴 - 도핑 된 산화 아연시켜 산화 아연 미지의 에너지 밴드 갭을 도입 원자 주위의 전자 분포에 영향을 미치는 격자의 변화의 결과로 더 강하게 될 수있다 층, 산화 아연의 발광 특성의 영향. SEM 및 XRD 결과에 의한 후 마그네트론 석영 기판 제조 몰리브덴 도핑 된 산화 아연 박막의 스퍼터링에 의해 막 미세 구조 및 입자 크기를 크게 도핑 몰리브덴, 모든 광 막의 평균 투과율의 영향에 의해 영향을 보여 더 높은. 된 ZnO 박막의 PL 스펙트럼은 어닐링 온도의 증가에 따라, 발광 피크 위치는 380 ㎚ 적색이 400nm, 470nm에서의 이동 또는 적색 525nm에서 이동을 보여준다. 도핑 몰리브덴 상당히 강도의 PL 스펙트럼에 영향을 미친다.

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