二矽化鉬>>
二矽化鉬電阻漿料
改進後的二矽化鉬電阻漿料常應用於用電子產品中。混合積體電路和部分分離電阻器多採用貴金屬釕系玻璃釉電極漿料，但是釕的價格很高，每公斤高達2萬元，因而不能被廣泛應用。二矽化鉬電阻漿料是在60年代被研發出來的，但是由於溫度係數大（≤500ppm/℃），燒結敏感性大，所以沒有得到推廣和應用。隨著科學技術的進步，研究者設計出了一種溫度係數小於300ppm/℃，燒結敏感性小，穩定性好，且性能接近於釕的MoSi2電阻漿料，能夠滿足民用電子產品的需求。
二矽化鉬電阻漿料性能改善 影響電阻器性能的主要因素是粘結劑和導電相的特性。粘結劑用於把導電相粘結到基體上，並形成緻密的膜。因此粘結劑同導電相粉料相浸潤，其膨脹係數要與導電相相匹配。根據MoSi2導電特性，在設計玻璃粘結劑的時候要增大它的彈性模數，以降低電阻的溫度係數。要降低電阻係數可以在漿料中加入MgO來調整TCR。 改善導電性的溫度係數和浸潤性的方法有兩種，一種是補償法，即加入負溫度係數的導電相來抵消MoSi2的正溫度係數。第二種是預燒法，將MoSi2進行高溫預燒，MoSi2在500℃以上就分解氧化。氧化分解的MoSi2的顆粒表面有一層MoO3塗層。MoO3塗層與玻璃的浸潤性較好，從而改善了導電相性能。 要製備性能優良的二矽化鉬電阻漿料，還要對其工藝進行改善。在燒結的過程中加工二矽化鉬粉末包住，與空氣隔絕，就能防止二矽化鉬在500℃左右被氧化分解。同時採用二次燒結法，可以改善電阻漿料的燒結敏感性和阻值分散性。
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