氧化鉬>>
摻鉬氧化鋅
摻鉬氧化鋅薄膜最低電阻率為9.4x10-4Ω•cm，相應載流子遷移率為27.3cm2V-1s-1，載流子濃度為3.1x1020cm-3。在可見光區域的平均透射率大於85%，折射率（550cm）為1.853，消光係數為7.0x10-3。另外，通過調節氧分壓可以調節載流子濃度，禁帶寬度隨載流子濃度的增加由3.37增大到3.8eV，薄膜的載流子有效品質m*為0.33倍的電子品質。
氧化鋅的光學禁帶寬度約為3.37eV，對可見光的透明性很好，其透明導電薄膜的電阻率可以低至4.5x10-4Ω•cm，但是在溫度超過150℃後薄膜性能就會變得不穩定，因此大大限制其應用。通過摻雜高溫元素鉬，可以提高其使用溫度，擴大其應用領域。在氧化鋅晶體中，以替位元形式摻雜高價的鉬粒子，摻鉬氧化鋅能更強烈的影響周圍原子的電子分佈，導致晶格的變化，從而在氧化鋅的禁帶中引入未知的能級，影響氧化鋅的發光性能。採用磁控濺射法在石英基體上製備鉬摻雜氧化鋅薄膜，然後通過SEM和XRD結果表明，薄膜微結構和晶粒尺寸明顯受鉬摻雜的影響，所有薄膜對光的平均透過率較高。ZnO薄膜的PL譜顯示，隨著退火溫度的增加，發光峰位置從380nm紅移至400nm，或者從470nm紅移至525nm。鉬摻雜顯著影響PL譜強度。
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