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方鉬靶
方鉬靶是鉬靶產品中的一種。
物理性質如下所示：密度：10.2克/立方釐米，熔點：2610℃，沸點：5560℃，純度：≥99.95%，形狀：方形。
性能：方鉬靶具有高熔點、高電導率、較低的比阻抗、較好的耐腐蝕性及良好的環保性能。
用途：在電子行業中, 鉬濺射靶材主要用於平面顯示器、薄膜太陽能電池的電極和配線材料以及半導體的阻擋層材料。 除了平面顯示器行業外，隨著和新能源行業的發展，鉬濺射靶材在薄膜太陽能光伏電池上的應用也逐漸擴大。
性能要求：為了提高方鉬靶的濺射率和確保沉積薄膜的品質，對其性能有如下幾點要求。
1.純度：高純的的鉬靶，濺射薄膜的性能越好。一般鉬靶的純度需要達到99.95%，但隨著LED行業玻璃基板尺寸的不斷提高，要求配線的長度延長、線寬變細，為了保證薄膜的均勻性以及佈線的品質，因此對鉬靶的純度要求也相應提高。因此，鉬靶用於製備玻璃基板其純度要求在99.99%~99.999%，甚至更高。
2.密度要求：在濺射鍍膜的過程中，緻密度較小的鉬靶受轟擊時，由於鉬靶內部空隙記憶體在的氣體突然釋放，造成大尺寸的靶材顆粒或微粒飛濺，或成膜後膜材受第二次電子轟擊造成微粒飛濺，因而降低薄膜的品質。其相對密度在98%以上。
3.晶粒尺寸及尺寸分佈：通常鉬濺射靶材為多晶結構，晶粒大小可由微米到毫米量級。細小尺寸晶粒鉬靶的建設速率要比粗晶粒快。而晶粒尺寸相差較小的靶，在澱積薄膜的厚度分佈也較均勻。
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