モリブデンダイシリサイドの抵抗体ペースト

二珪化モリブデン改善された抵抗ペーストは、多くの場合、電子製品に使用されます。ハイブリッド集積回路と抵抗の部分的な分離は、以上の貴金属を200万までのキログラム当たりルテニウム系グレーズガラス電極ペーストが、ルテニウムの高い価格を、使用するため、広く使用することはできません。モリブデンダイシリサイドの抵抗体ペーストは、1960年代に開発されたが、原因で大きな温度係数（≤500ppm/℃）に、大きな感度を焼結するため、プロモーションおよびアプリケーションを得ることはありませんされています。科学技術の進歩により、研究者は、感度、良好な安定性を焼結し、未満300ppmの/℃の温度係数を考案し、性能は家電製品の需要を満たすために、MoSi2の抵抗ペーストをルテニウムに近いです。

二珪化モリブデンの主な要因は、バインダーと導電相のスラリー抵抗性能特性の耐衝撃性を向上させることができます。導電相のための結合剤は、基板と、緻密な膜に結合しています。導電性バインダー相粉末相浸潤を伴うので、導電相と一致する膨張係数。 MoSi2の電気特性に従って、ガラスバインダー時間の設計に抵抗の温度係数を減少させるために、弾性の係数を増加させます。抵抗率を低減するためにMgOはTCRを調整するためにスラリーに添加してもよいです。 2改良伝導温度係数と侵襲的な方法があり、一つはMoSi2の正の温度係数を相殺するために導電相の負の温度係数を追加補償方法、です。第二の方法は、分解を酸化的するために、上記の500℃で、高温燃焼度MoSi2の、MoSi2のを焼成します。酸化モリブデンの粒子表面層の酸化分解は、MoSi2のコーティングです。侵襲的な酸化モリブデンは、導電性相の性能を向上させる、好ましくはガラスコーティングです。より良好な二珪化モリブデン抵抗ペーストを調製し、またそのプロセスを改善します。焼結プロセスは、二珪化モリブデン粉末ラップの過程で、空気を遮断し、約500℃酸化分解で二珪化モリブデンを防止することができます。スラリー焼結抵抗ばらつきの感受性及び耐性を向上させることができる二次焼結法を使用しています。

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